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绍兴肖特基二极管正负****咨询「强元芯电子」

时间:2022-06-17 04:36 来源:网络整理 转载:素和月天网
绍兴肖特基二极管正负****咨询「强元芯电子」[强元芯电子6235713]编辑:DD在金属内部和半导体导带相对应的分能级上,电子密度小于半导体导带的电子密度。因此,

在金属内部和半导体导带相对应的分能级上,电子密度小于半导体导带的电子密度。因此,在二者接触后,电子会从半导体向金属扩散,从而使金属带上负电荷,半导体带正电荷。由于金属是理想的导体,负电荷只分布在表面为原子大小的一个薄层之内。而对于N型半导体来说,失去电子的施主杂质原子成为正离子,则分布在较大的厚度之中。

编辑:DD

ASEMI肖特基二极管新品介绍——

SBD的主要优点包括两个方面:

1)由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度,故其正向导通门限电压和正向压降都比PN结二极管低(约低0.2V)。

2)由于SBD是一种多数载流子导电器件,不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。SBD的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间,完全不同于PN结二极管的反向恢复时间。由于SBD的反向恢复电荷非常少,故开关速度非 ,欤厮鸷囊蔡乇鹦。绕涫屎嫌诟咂涤τ谩

编辑:DD

根据万用表示数分析,肖特基二极管测试结论如下(其中①②③为肖特基二极管自左而右的三只引脚编码):

一,根据①-②、③-②间均可测出正向电阻,判定被测管为共阴对管,①、③脚为两个阳极,②脚为公共阴极。

二,因①-②、③-②之间的正向电阻只几欧姆,而反向电阻为无穷大,故具有单向导电性。

三,内部两只肖特基二极管的正向导通压降分别为0.315V、0.33V,均低于手册中给定的允许值VFM(0.55V)。

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